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GB/T14863-1993 GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

标准编号:GB/T 14863-1993 时间:1993-01-02 大小:KB 浏览次数:30 下载次数:8
资料名称: GB/T14863-1993 GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
标准类别: 国家标准
语  言: 简体中文
文件类型: .rar
整理时间: 1993-01-02
等  级:
标准状态: (仅供参考)
作废日期: (仅供参考)
实施日期: 1994-10-01(仅供参考)
授权方式: 免费下载
下载方式: 直接下载
浏览次数: 30次
标准简介: GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 国家标准(GB) GB/T14863-1993 本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压?电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录B)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层,也适用于体材料。

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标准编号: GB/T 14863-1993 正在载入地址
标准名称: 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
英文名称: STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes(仅供参考)
替代情况: (仅供参考)
采标情况: (仅供参考)
发布部门: 国家技术监督局(仅供参考)
页  数: 平装16开, 页数:12, 字数:19千字(仅供参考)
首发日期: 1993-12-30(仅供参考)
复审日期: 2004-10-14(仅供参考)
提出单位: (仅供参考)
归口单位: 信息产业部(电子)(仅供参考)
主管部门: 信息产业部(电子)(仅供参考)
起草单位: 机械电子工业部(仅供参考)
相关标准: 无相关信息
下载次数: 8次

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